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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
200
100
150 C
-55 C
10
o
o
25 C
10
o
2. T C = 25 C
1
0.2
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
20
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.25
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
0.20
150 C
25 C
V GS = 10V
10
o
o
0.15
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.10
0
25 50 75
o
100
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 1.0
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
8000
6000
4000
2000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C iss
C oss
10
8
6
4
2
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
C rss
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 28A
20 40 60 80
Q g , Total Gate Charge [nC]
90
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA28N50 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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